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Einzelheiten zu den Produkten

Created with Pixso. Zu Hause Created with Pixso. Produits Created with Pixso.
Quellmaß-Einheit
Created with Pixso. Halbleiterprüfimpulse SMU-Einheit Quellenmessungseinheit P200B 100V 4A 30A

Halbleiterprüfimpulse SMU-Einheit Quellenmessungseinheit P200B 100V 4A 30A

Markenbezeichnung: PRECISE INSTRUMENT
Modellnummer: P200B
MOQ: 1 Einheit
Lieferzeit: 2-8 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T
Einzelheiten
Herkunftsort:
aus China
V-Bereiche:
300mV bis 100V
I-Bereiche:
Impulsmodus: 10nA ∼ 30A Gleichstrommodus: 10nA ∼ 4A
Leistungsgrenzen:
Gleichstrommodus: maximal 40 W /Pulsmodus: maximal 400 W
Minimale Impuls-Breite:
200 μs
Stichprobenquote:
100,000 S/S
Genauigkeit:
00,1%/0,03%
Verpackung Informationen:
Karton.
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
500 SET/MONTH
Hervorheben:

Halbleiterprüfungs-Impuls SMU-Einheit

,

P200B Maßeinheit der Quelle

,

100V 4A 30A SMU-Einheit

Beschreibung des Produkts

Halbleiterprüfimpulse SMU-Einheit Quellenmessungseinheit P200B 100V 4A 30A

Der P200B Benchtop Pulse SourceMeter ist ein benutzerorientiertes, leistungsstarkes Prüfgerät mit einem 5-Zoll-Touchscreen und einer intuitiven grafischen Schnittstelle für eine mühelose Bedienung.mit einer Leistung von mehr als 100 V und 30 A, unterstützt vier-Quadranten-Betrieb und ist hervorragend in der Prüfung von Low-Power-Sensoren, Hochspannungs-Power-Modulen, Halbleitern, Nanomaterialien und gedruckter Elektronik.


Produktmerkmale

Einfache Operation:Ein 5-Zoll-Touchscreen mit geführten Anleitungen vereinfacht die Einrichtung, auch für Anfänger.

Weite dynamische Reichweite:1pA30A (Impulsmodus), 1pA4A (Gleichströmungsmodus) und 0V100V Spannungsausgang mit automatischem Bereich.

Präzisionspulssteuerung:Die minimale Pulsbreite von 200 μs gewährleistet eine stabile Amplitude, Frequenz und Zeitung für Hochgeschwindigkeitsgeräteprüfungen.

Hohe Genauigkeit:0.03% Genauigkeit (1μA1A Strom, voller Spannungsbereich) und 0,1% Genauigkeit für längere Bereiche.

Vier-Quadranten-FlexibilitätSimuliert Energierückgewinnung, bidirektionale Stromströme und reale elektrische Bedingungen.

Anpassbare Scans:Lineare, logarithmische und benutzerdefinierte Sweep-Modi für IV-Charakterisierung und Materialstudien.

Datenverwaltung:Ein-Klick-USB-Speicher, automatisierte Berichte und Echtzeit-Datenfreigabe über RS-232/GPIB/LAN-Schnittstellen.


Produktparameter

Artikel 2

Parameter

V-Bereiche

300 mV bis 100 V

I-Bereiche

Impulsmodus: 10nA ∼30A Gleichstrommodus: 10nA ∼4A

Leistungsgrenzen

Gleichstrommodus: maximal 40 W /Pulsmodus: maximal 400 W

Mindestpulsbreite

200 μs

Stichprobenquote

100,000 S/s

Genauigkeit

00,1%/0,03%

Auslöser:

Polarität des I/O-Trigger

Anzeige

5-Zoll-Touchscreen

Schnittstellen

RS-232, GPIB, LAN

Aufbewahrung

USB-Unterstützung

Stromversorgung

100-240 V Wechselstrom, 50/60 Hz


Anwendungen

Halbleiter:Diodenleckageprüfungen, MOSFET-Schaltanalyse, SiC/GaN-Hochtemperaturvalidierung.

Energie und Anzeigen:LED/AMOLED Effizienzoptimierung, Leistungstests für Solarzellen/Batterien.

Sensoren:Kalibrierung des Temperatur-/Drucksensors, Validierung gegen Störungen.

Materialwissenschaften:Studien zur Leitfähigkeit von Graphen/Nanowires, Charakterisierung von E-Tinte für flexible Elektronik.




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Einzelheiten Zu Den Produkten

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Quellmaß-Einheit
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Halbleiterprüfimpulse SMU-Einheit Quellenmessungseinheit P200B 100V 4A 30A

Markenbezeichnung: PRECISE INSTRUMENT
Modellnummer: P200B
MOQ: 1 Einheit
Verpackungsdetails: Karton.
Zahlungsbedingungen: T/T
Einzelheiten
Herkunftsort:
aus China
Markenname:
PRECISE INSTRUMENT
Modellnummer:
P200B
V-Bereiche:
300mV bis 100V
I-Bereiche:
Impulsmodus: 10nA ∼ 30A Gleichstrommodus: 10nA ∼ 4A
Leistungsgrenzen:
Gleichstrommodus: maximal 40 W /Pulsmodus: maximal 400 W
Minimale Impuls-Breite:
200 μs
Stichprobenquote:
100,000 S/S
Genauigkeit:
00,1%/0,03%
Min Bestellmenge:
1 Einheit
Verpackung Informationen:
Karton.
Lieferzeit:
2-8 Wochen
Zahlungsbedingungen:
T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
500 SET/MONTH
Hervorheben:

Halbleiterprüfungs-Impuls SMU-Einheit

,

P200B Maßeinheit der Quelle

,

100V 4A 30A SMU-Einheit

Beschreibung des Produkts

Halbleiterprüfimpulse SMU-Einheit Quellenmessungseinheit P200B 100V 4A 30A

Der P200B Benchtop Pulse SourceMeter ist ein benutzerorientiertes, leistungsstarkes Prüfgerät mit einem 5-Zoll-Touchscreen und einer intuitiven grafischen Schnittstelle für eine mühelose Bedienung.mit einer Leistung von mehr als 100 V und 30 A, unterstützt vier-Quadranten-Betrieb und ist hervorragend in der Prüfung von Low-Power-Sensoren, Hochspannungs-Power-Modulen, Halbleitern, Nanomaterialien und gedruckter Elektronik.


Produktmerkmale

Einfache Operation:Ein 5-Zoll-Touchscreen mit geführten Anleitungen vereinfacht die Einrichtung, auch für Anfänger.

Weite dynamische Reichweite:1pA30A (Impulsmodus), 1pA4A (Gleichströmungsmodus) und 0V100V Spannungsausgang mit automatischem Bereich.

Präzisionspulssteuerung:Die minimale Pulsbreite von 200 μs gewährleistet eine stabile Amplitude, Frequenz und Zeitung für Hochgeschwindigkeitsgeräteprüfungen.

Hohe Genauigkeit:0.03% Genauigkeit (1μA1A Strom, voller Spannungsbereich) und 0,1% Genauigkeit für längere Bereiche.

Vier-Quadranten-FlexibilitätSimuliert Energierückgewinnung, bidirektionale Stromströme und reale elektrische Bedingungen.

Anpassbare Scans:Lineare, logarithmische und benutzerdefinierte Sweep-Modi für IV-Charakterisierung und Materialstudien.

Datenverwaltung:Ein-Klick-USB-Speicher, automatisierte Berichte und Echtzeit-Datenfreigabe über RS-232/GPIB/LAN-Schnittstellen.


Produktparameter

Artikel 2

Parameter

V-Bereiche

300 mV bis 100 V

I-Bereiche

Impulsmodus: 10nA ∼30A Gleichstrommodus: 10nA ∼4A

Leistungsgrenzen

Gleichstrommodus: maximal 40 W /Pulsmodus: maximal 400 W

Mindestpulsbreite

200 μs

Stichprobenquote

100,000 S/s

Genauigkeit

00,1%/0,03%

Auslöser:

Polarität des I/O-Trigger

Anzeige

5-Zoll-Touchscreen

Schnittstellen

RS-232, GPIB, LAN

Aufbewahrung

USB-Unterstützung

Stromversorgung

100-240 V Wechselstrom, 50/60 Hz


Anwendungen

Halbleiter:Diodenleckageprüfungen, MOSFET-Schaltanalyse, SiC/GaN-Hochtemperaturvalidierung.

Energie und Anzeigen:LED/AMOLED Effizienzoptimierung, Leistungstests für Solarzellen/Batterien.

Sensoren:Kalibrierung des Temperatur-/Drucksensors, Validierung gegen Störungen.

Materialwissenschaften:Studien zur Leitfähigkeit von Graphen/Nanowires, Charakterisierung von E-Tinte für flexible Elektronik.