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Einzelheiten zu den Produkten

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Halbleiterprüfsysteme
Created with Pixso. 10kV/6000A Leistungsanalysator Statikprüfung PMST für Mosfet BJT IGBT SiC GaN Halbleiter

10kV/6000A Leistungsanalysator Statikprüfung PMST für Mosfet BJT IGBT SiC GaN Halbleiter

Markenbezeichnung: PRECISE INSTRUMENT
Modellnummer: PMST
MOQ: 1 Einheit
Lieferzeit: 2-8 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T
Einzelheiten
Herkunftsort:
aus China
Spannungsbereich:
300 mV~3500 V ((Erweiterbar auf 10 kV)
Leistungsbereich:
10nA bis 1000A (Option 6000A)
Frequenzbereich:
10 Hz bis 1 MHz
Kapazitätsmessbereich:
0.01pF~9.9999F
Genauigkeit:
00,1%
Verpackung Informationen:
Karton.
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
500 SET/MONTH
Hervorheben:

10 kV/6000A Leistungsgeräte-Analysator

,

Analysatorstatische Prüfung PMST

,

BJT IGBT-Leistungsgeräte-Analysator

Beschreibung des Produkts

10kV/6000A Leistungsanalysator Statikprüfung PMST für MOSFET-BJT-IGBT- und SiC-GaN-Halbleiter      

Das PMST Static Parameter Test System für Leistungseinrichtungen integriert mehrere Mess- und Analysefunktionen, die eine präzise Prüfung statischer Parameter für verschiedene Leistungseinrichtungen (z. B. MOSFETs,BJTEs verfügt über Hochspannungs- und Hochstrom-Eigenschaften, Präzisionsmessung auf μΩ-Ebene und Leistungsmessung auf nA-Ebene.Das System unterstützt die Messung der Verbindungskapazität von Leistungseinrichtungen im Hochspannungsmodus, einschließlich Eingangskapazität, Ausgangskapazität und Umkehrübertragungskapazität.

Das PMST-System ist mit modularen Messgeräten konfiguriert und verfügt über ein flexibles modulares Design, das es Benutzern ermöglicht, Messmodule einfach hinzuzufügen oder zu aktualisieren.Diese anpassungsfähige Architektur gewährleistet eine nahtlose Kompatibilität mit sich ändernden Prüfbedingungen für Leistungseinrichtungen.

 

Produktmerkmale

Hochspannung bis 3500 V (maximal 10 kV erweiterbar)

Hochstrom bis zu 6000 A (über mehrmodule Parallelanschluss)

Leckageströmung auf Ebene nA und Betriebswiderstand auf Ebene μΩ

Hochgenaue Messung mit einer Genauigkeit von 0,1%

Modulärer Aufbau: Messgeräte können hinzugefügt oder erweitert werden und unterstützen umfassende Prüffunktionen wie IV, CV, Transleitfähigkeit usw.

Hohe Prüfwirksamkeit mit automatischem Schalten und Einstieg

Breiter Temperaturbereich, unterstützender Raumtemperatur- und Hochtemperaturversuch

Kompatibilität mit mehreren Verpackungstypen; je nach Prüfungsanforderung verfügbare individuell angepasste Befestigungen


Produktparameter

Artikel 2

Parameter

Spannungsbereich

300 mV~3500 V ((Erweiterbar auf 10 kV)

Auflösung der Mindestspannung

30 uV

Genauigkeit der Spannungsmessung

00,1%

Genauigkeit der Spannungsquelle

00,1%

Leistungsbereich

10nA bis 1000A (Option 6000A)

Mindest-Strom-Auflösung

1 pA

Aktuelle Messgenauigkeit

00,1%

Genauigkeit der aktuellen Quelle

00,1%

Mindestpulsbreite

50 us

Typische Aufstiegszeit

15 us

Frequenzbereich

10 Hz bis 1 MHz

Gleichspannung BiasRange

3500 V

Kapazitätsmessbereich

0.01pF~9.9999F


Anwendungen

Neue Energiefahrzeuge (NEV)

Photovoltaik-Wechselrichter

Windenergie

Schienenverkehr

Variable Frequency Drive (VFD)

 


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Halbleiterprüfsysteme
Created with Pixso. 10kV/6000A Leistungsanalysator Statikprüfung PMST für Mosfet BJT IGBT SiC GaN Halbleiter

10kV/6000A Leistungsanalysator Statikprüfung PMST für Mosfet BJT IGBT SiC GaN Halbleiter

Markenbezeichnung: PRECISE INSTRUMENT
Modellnummer: PMST
MOQ: 1 Einheit
Verpackungsdetails: Karton.
Zahlungsbedingungen: T/T
Einzelheiten
Herkunftsort:
aus China
Markenname:
PRECISE INSTRUMENT
Modellnummer:
PMST
Spannungsbereich:
300 mV~3500 V ((Erweiterbar auf 10 kV)
Leistungsbereich:
10nA bis 1000A (Option 6000A)
Frequenzbereich:
10 Hz bis 1 MHz
Kapazitätsmessbereich:
0.01pF~9.9999F
Genauigkeit:
00,1%
Min Bestellmenge:
1 Einheit
Verpackung Informationen:
Karton.
Lieferzeit:
2-8 Wochen
Zahlungsbedingungen:
T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
500 SET/MONTH
Hervorheben:

10 kV/6000A Leistungsgeräte-Analysator

,

Analysatorstatische Prüfung PMST

,

BJT IGBT-Leistungsgeräte-Analysator

Beschreibung des Produkts

10kV/6000A Leistungsanalysator Statikprüfung PMST für MOSFET-BJT-IGBT- und SiC-GaN-Halbleiter      

Das PMST Static Parameter Test System für Leistungseinrichtungen integriert mehrere Mess- und Analysefunktionen, die eine präzise Prüfung statischer Parameter für verschiedene Leistungseinrichtungen (z. B. MOSFETs,BJTEs verfügt über Hochspannungs- und Hochstrom-Eigenschaften, Präzisionsmessung auf μΩ-Ebene und Leistungsmessung auf nA-Ebene.Das System unterstützt die Messung der Verbindungskapazität von Leistungseinrichtungen im Hochspannungsmodus, einschließlich Eingangskapazität, Ausgangskapazität und Umkehrübertragungskapazität.

Das PMST-System ist mit modularen Messgeräten konfiguriert und verfügt über ein flexibles modulares Design, das es Benutzern ermöglicht, Messmodule einfach hinzuzufügen oder zu aktualisieren.Diese anpassungsfähige Architektur gewährleistet eine nahtlose Kompatibilität mit sich ändernden Prüfbedingungen für Leistungseinrichtungen.

 

Produktmerkmale

Hochspannung bis 3500 V (maximal 10 kV erweiterbar)

Hochstrom bis zu 6000 A (über mehrmodule Parallelanschluss)

Leckageströmung auf Ebene nA und Betriebswiderstand auf Ebene μΩ

Hochgenaue Messung mit einer Genauigkeit von 0,1%

Modulärer Aufbau: Messgeräte können hinzugefügt oder erweitert werden und unterstützen umfassende Prüffunktionen wie IV, CV, Transleitfähigkeit usw.

Hohe Prüfwirksamkeit mit automatischem Schalten und Einstieg

Breiter Temperaturbereich, unterstützender Raumtemperatur- und Hochtemperaturversuch

Kompatibilität mit mehreren Verpackungstypen; je nach Prüfungsanforderung verfügbare individuell angepasste Befestigungen


Produktparameter

Artikel 2

Parameter

Spannungsbereich

300 mV~3500 V ((Erweiterbar auf 10 kV)

Auflösung der Mindestspannung

30 uV

Genauigkeit der Spannungsmessung

00,1%

Genauigkeit der Spannungsquelle

00,1%

Leistungsbereich

10nA bis 1000A (Option 6000A)

Mindest-Strom-Auflösung

1 pA

Aktuelle Messgenauigkeit

00,1%

Genauigkeit der aktuellen Quelle

00,1%

Mindestpulsbreite

50 us

Typische Aufstiegszeit

15 us

Frequenzbereich

10 Hz bis 1 MHz

Gleichspannung BiasRange

3500 V

Kapazitätsmessbereich

0.01pF~9.9999F


Anwendungen

Neue Energiefahrzeuge (NEV)

Photovoltaik-Wechselrichter

Windenergie

Schienenverkehr

Variable Frequency Drive (VFD)