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Markenbezeichnung: | PRECISE INSTRUMENT |
Modellnummer: | LDBI |
MOQ: | 1 Einheit |
Lieferzeit: | 2-8 Wochen |
Zahlungsbedingungen: | T/T |
LDBI-Laseralterung Halbleiterprüfsysteme Mehrkanalprüfsystem
LDBI multi-channel high-power laser aging system is specifically designed to address the issues of kilowatt-level high-power semiconductor laser chips and pump laser modules that require narrow pulse high current testing and agingEs hat ein vielseitiges, leistungsstarkes, wassergekühltes Alterungstestsystem entwickelt.
Das Produkt verfügt über hervorragende Eigenschaften von hoher Strömung, schmaler, pulsierender Konstantenströmung, stabilem Strom und einer starken Störungshemmung.Es umfaßt auch doppelte Schutzschaltkreise für Überspannung, Rückwärts-EMF und Überspannungsschutz, die eine Komplettlösung für die Alterungstests von Hochleistungs-Halbleiterlaserchips und Pumplasermodulen bieten.
Produktmerkmale
▪Einzelschublade unterstützt bis zu 16 Kanäle, maximal 8 Schubladen: Jede Schublade kann bis zu 16 unabhängige Kanäle mit einer Gesamtkapazität von bis zu 8 Schubladen aufnehmen.
▪Unabhängige Kanäle: Alle Kanäle arbeiten unabhängig voneinander und sorgen so für keine Störungen zwischen den Prüfungen.
▪Stromwiedergabe und synchronisierte Messungen: Messen automatisch Spannung, optische Leistung und andere Parameter gleichzeitig mit dem Stromwiedergabe.
▪Heizfilm und Temperaturkontrolle: Verwendet Heizfilm zur Temperaturkontrolle, mit einem Bereich von Raumtemperatur bis 125 °C.
▪Überspannungsbeständige Stromversorgung: Ausgelegt, um Überspannungen zu widerstehen und einen stabilen Betrieb zu gewährleisten.
▪Wassergekühlte Lichtentnahmevorrichtung: mit Wasserkühlung ausgestattet, um die während des Betriebs erzeugte Wärme zu verwalten.
▪Hohe Temperaturgenauigkeit: Absolute Temperaturgenauigkeit von ±1°C mit Temperaturgleichheit von ±2°C für verschiedene DUTs (Testgeräte).
▪Automatische Registrierung und Export von Alterungsdaten: Registriert automatisch Alterungstestdaten und unterstützt den Datenexport für die Analyse.
Produktparameter
Artikel 2 |
Parameter |
Eingangsleistung |
380 V/50 Hz |
Arbeitsmodus |
CW, QCW |
Breite des Pulsens |
100 us~3 ms, Schritt 1 us, maximale Belastung 3% |
Leistungsbereich |
Gleichstrom 60A (Schritt 15mA) und Puls 600A (Schritt 60mA) |
Spannungsmessung |
0-100V,±0,1%±80mV |
Spannungsprüfkanäle |
16 Kanäle |
Messung der optischen Leistung |
Leistungsbereich: 10mA,±0,5%±60μW |
Optische Stromkanäle |
1 Kanal, der 16 Kanäle für das zeitgeteilte Multiplexing unterstützen kann. |
Temperaturüberwachung |
Mehrkanalunterstützung |
Überwachung des Wasserflusses |
Mehrkanalunterstützung |
Alarmfunktion |
Die Temperatur des Heizkörpers ist zu hoch. Rückrufstrom abnormal. Ladung offen. Kurzlast Außentemperatursensor zu hoch. Optische Leistung zu niedrig. Systemalarme für Stromversorgung. |
Verriegelungen |
Unterstützung |
DIO |
16-Wege-Schnittstelle |
Kommunikationsschnittstellen |
RS485 |
Wärmeabbau |
Wasserkühlung, Kühlgerät optional |
Abmessung |
1200 mm × 2070 mm × 1000 mm |
Gewicht |
500 kg |
Anwendungen
Prüfungen von Halbleiter-Leistungseinrichtungen
▪Messung statischer Parameter von Stromgeräten wie MOSFET, BJT, IGBT, SiC (Siliciumcarbid) und GaN (Galliumnitrid), einschließlich Ausfallspannung, Leckstrom, Einschaltwiderstand,Schwellenspannung, Verbindungskapazität usw.
▪Unterstützt Hochspannungs-, Hochstrom- und Hochpräzisionsprüfungen für Halbleiter der dritten Generation (z. B. SiC, GaN).
Forschung über die elektrischen Eigenschaften von Halbleitermaterialien
▪Bereitstellung von elektrischen Leistungsparameterprüfungen für Halbleitermaterialien (z. B. Strom, Spannung, Widerstandsvariation), Unterstützung der Materialforschung und -entwicklung und Prozessvalidierung.
Prüfung von Leistungselektronikkomponenten für neue Energiefahrzeuge
▪Konzentriert sich auf statische Parameterprüfungen von IGBT- und SiC-Geräten in der Automobilindustrie, die die Anforderungen an Hochspannungs- und Hochstromprüfungen unter 800-Volt-Architekturen erfüllen.Deckt Kernanwendungen wie Hauptumrichter und Ladestellen ab.
Prüfungen und Qualitätskontrolle von Produktionslinien für industrielle Automatisierung
▪Ermöglicht End-to-End-Tests von Laboren bis hin zu Massenproduktionslinien, einschließlich automatisierter statischer Parameterprüfungen für Wafer, Chips, Geräte und Module.Kompatibel mit halbautomatischen (PMST-MP) und vollautomatisierten (PMST-AP) Produktionssystemen.
Akademische und Forschungseinrichtung Lehre und Experimente
▪Für physikalische Experimente in integrierten Schaltungen und Stromgeräten verwendet, die Kurse wie Halbleitergeräteprinzipien und analoge Elektronik abdecken.Erleichtert die Entwicklung von Chip-Test-Praxiszentren.
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Markenbezeichnung: | PRECISE INSTRUMENT |
Modellnummer: | LDBI |
MOQ: | 1 Einheit |
Verpackungsdetails: | Karton. |
Zahlungsbedingungen: | T/T |
LDBI-Laseralterung Halbleiterprüfsysteme Mehrkanalprüfsystem
LDBI multi-channel high-power laser aging system is specifically designed to address the issues of kilowatt-level high-power semiconductor laser chips and pump laser modules that require narrow pulse high current testing and agingEs hat ein vielseitiges, leistungsstarkes, wassergekühltes Alterungstestsystem entwickelt.
Das Produkt verfügt über hervorragende Eigenschaften von hoher Strömung, schmaler, pulsierender Konstantenströmung, stabilem Strom und einer starken Störungshemmung.Es umfaßt auch doppelte Schutzschaltkreise für Überspannung, Rückwärts-EMF und Überspannungsschutz, die eine Komplettlösung für die Alterungstests von Hochleistungs-Halbleiterlaserchips und Pumplasermodulen bieten.
Produktmerkmale
▪Einzelschublade unterstützt bis zu 16 Kanäle, maximal 8 Schubladen: Jede Schublade kann bis zu 16 unabhängige Kanäle mit einer Gesamtkapazität von bis zu 8 Schubladen aufnehmen.
▪Unabhängige Kanäle: Alle Kanäle arbeiten unabhängig voneinander und sorgen so für keine Störungen zwischen den Prüfungen.
▪Stromwiedergabe und synchronisierte Messungen: Messen automatisch Spannung, optische Leistung und andere Parameter gleichzeitig mit dem Stromwiedergabe.
▪Heizfilm und Temperaturkontrolle: Verwendet Heizfilm zur Temperaturkontrolle, mit einem Bereich von Raumtemperatur bis 125 °C.
▪Überspannungsbeständige Stromversorgung: Ausgelegt, um Überspannungen zu widerstehen und einen stabilen Betrieb zu gewährleisten.
▪Wassergekühlte Lichtentnahmevorrichtung: mit Wasserkühlung ausgestattet, um die während des Betriebs erzeugte Wärme zu verwalten.
▪Hohe Temperaturgenauigkeit: Absolute Temperaturgenauigkeit von ±1°C mit Temperaturgleichheit von ±2°C für verschiedene DUTs (Testgeräte).
▪Automatische Registrierung und Export von Alterungsdaten: Registriert automatisch Alterungstestdaten und unterstützt den Datenexport für die Analyse.
Produktparameter
Artikel 2 |
Parameter |
Eingangsleistung |
380 V/50 Hz |
Arbeitsmodus |
CW, QCW |
Breite des Pulsens |
100 us~3 ms, Schritt 1 us, maximale Belastung 3% |
Leistungsbereich |
Gleichstrom 60A (Schritt 15mA) und Puls 600A (Schritt 60mA) |
Spannungsmessung |
0-100V,±0,1%±80mV |
Spannungsprüfkanäle |
16 Kanäle |
Messung der optischen Leistung |
Leistungsbereich: 10mA,±0,5%±60μW |
Optische Stromkanäle |
1 Kanal, der 16 Kanäle für das zeitgeteilte Multiplexing unterstützen kann. |
Temperaturüberwachung |
Mehrkanalunterstützung |
Überwachung des Wasserflusses |
Mehrkanalunterstützung |
Alarmfunktion |
Die Temperatur des Heizkörpers ist zu hoch. Rückrufstrom abnormal. Ladung offen. Kurzlast Außentemperatursensor zu hoch. Optische Leistung zu niedrig. Systemalarme für Stromversorgung. |
Verriegelungen |
Unterstützung |
DIO |
16-Wege-Schnittstelle |
Kommunikationsschnittstellen |
RS485 |
Wärmeabbau |
Wasserkühlung, Kühlgerät optional |
Abmessung |
1200 mm × 2070 mm × 1000 mm |
Gewicht |
500 kg |
Anwendungen
Prüfungen von Halbleiter-Leistungseinrichtungen
▪Messung statischer Parameter von Stromgeräten wie MOSFET, BJT, IGBT, SiC (Siliciumcarbid) und GaN (Galliumnitrid), einschließlich Ausfallspannung, Leckstrom, Einschaltwiderstand,Schwellenspannung, Verbindungskapazität usw.
▪Unterstützt Hochspannungs-, Hochstrom- und Hochpräzisionsprüfungen für Halbleiter der dritten Generation (z. B. SiC, GaN).
Forschung über die elektrischen Eigenschaften von Halbleitermaterialien
▪Bereitstellung von elektrischen Leistungsparameterprüfungen für Halbleitermaterialien (z. B. Strom, Spannung, Widerstandsvariation), Unterstützung der Materialforschung und -entwicklung und Prozessvalidierung.
Prüfung von Leistungselektronikkomponenten für neue Energiefahrzeuge
▪Konzentriert sich auf statische Parameterprüfungen von IGBT- und SiC-Geräten in der Automobilindustrie, die die Anforderungen an Hochspannungs- und Hochstromprüfungen unter 800-Volt-Architekturen erfüllen.Deckt Kernanwendungen wie Hauptumrichter und Ladestellen ab.
Prüfungen und Qualitätskontrolle von Produktionslinien für industrielle Automatisierung
▪Ermöglicht End-to-End-Tests von Laboren bis hin zu Massenproduktionslinien, einschließlich automatisierter statischer Parameterprüfungen für Wafer, Chips, Geräte und Module.Kompatibel mit halbautomatischen (PMST-MP) und vollautomatisierten (PMST-AP) Produktionssystemen.
Akademische und Forschungseinrichtung Lehre und Experimente
▪Für physikalische Experimente in integrierten Schaltungen und Stromgeräten verwendet, die Kurse wie Halbleitergeräteprinzipien und analoge Elektronik abdecken.Erleichtert die Entwicklung von Chip-Test-Praxiszentren.