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Einzelheiten zu den Produkten

Created with Pixso. Zu Hause Created with Pixso. Produits Created with Pixso.
Halbleiterprüfsysteme
Created with Pixso. 10Hz-1MHz Halbleitergerät C-V-Prüfsystem

10Hz-1MHz Halbleitergerät C-V-Prüfsystem

Markenbezeichnung: PRECISE INSTRUMENT
MOQ: 1 Einheit
Lieferzeit: 2-8 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T
Einzelheiten
Herkunftsort:
aus China
Testfrequenz:
10 Hz bis 1 MHz
Genauigkeit:
±0,01 %
Kapazitätstestbereich:
0.01pF ¥ 9.9999F
Verpackung Informationen:
Karton.
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
500 SET/MONTH
Hervorheben:

1MHz Halbleiter-Leistungsgerät

,

10Hz Halbleiter-Leistungseinrichtung

,

C-V Halbleitercharakterisierungssystem

Beschreibung des Produkts

10Hz-1MHz Halbleitergerät C-V-Prüfsystem

Die Kapazität-Spannungsmessung (C-V) wird häufig zur Charakterisierung von Halbleiterparametern, insbesondere in MOS-Kondensatoren (MOS-CAPs) und MOSFET-Strukturen, verwendet.Die Kapazität einer Metalloxid-Halbleiterstruktur (MOS) ist eine Funktion der angelegten SpannungDie Kurve, die die Kapazitätsschwankung mit der Spannung darstellt, wird als C-V-Kurve (oder C-V-Charakteristiken) bezeichnet.

·Dicke der Oxidschicht (dox)

·Dopingkonzentration im Substrat (Nn)

·Bewegliche Ladedichte im Oxid (Q1)

·Festlastdichte des Oxids (Qfc).

 

Produktmerkmale

Breiter Frequenzbereich: 10 Hz1 MHz mit kontinuierlich einstellbaren Frequenzpunkten.

Hohe Präzision und breiter dynamischer Bereich: Abweichungsbereich von 0 V bis 3500 V mit einer Genauigkeit von 0,1%.

Eingebaute CV-Prüfung: Die integrierte automatisierte CV-Prüfungsoftware unterstützt mehrere Funktionen, darunter C-V (Kapazität-Spannung), C-T (Kapazität-Zeit) und C-F (Kapazität-Frequenz).

IV Prüfung der Kompatibilität: Gleichzeitig werden Abbruchmerkmale und das Verhalten des Leckstroms gemessen.

Echtzeit-Kurvenplotung: Eine intuitive Software-Schnittstelle visualisiert Testdaten und Kurven für die Echtzeitüberwachung.

Hohe Skalierbarkeit: Moduläres Systemdesign ermöglicht eine flexible Konfiguration basierend auf den Testbedürfnissen.


Produktparameter

Artikel 2

Parameter

Testfrequenz

10 Hz bis 1 MHz

Genauigkeit der Frequenzausgabe

± 0,01%

Grundlegende Genauigkeit

± 0,5%

AC-Prüfsignalstufe

10mV~2Vrms (1m Vrms Auflösung)

Gleichstrom-Prüfsignalniveau

10mV bis 2V (1m Vrms Auflösungsgrad)

Ausgangsimpedanz

100Ω

Kapazitätstestbereich

0.01pF ¥ 9.9999F

VGS-Biasbereich

0 - ±30V (optional)

VDS-Biasbereich

300 V bis 1200 V

Prüfparameter

Diode: CJ, IR, VR

MOSFET:Ciss,Coss,Crss,Rg,IDSS,IGSS,BVDSS

IGBT:Cies,Coes,Cres,ICES,IGES,VBRCES

Schnittstelle

RS232, LAN

Programmprotokoll

SCPI, Laborsicht.

 

Anwendungen

Nanomaterialien: Widerstand, Trägermobilität, Trägerkonzentration, Hallspannung

Flexible Materialien: Zug-, Torsions- und Biegetest, Spannungszeit (V-t), Stromzeit (I-t), Widerstandszeit (R-t), Widerstandsfähigkeit, Empfindlichkeit, Verbindungskapazität

Diskrete Geräte:BVDSS,IGSS,IDSS,Vgs ((th),Ciss/Coss/Crss (Eingabe/Ausgabe/Umkehrung).

Fotodetektoren: Dunkler Strom (ID), Verbindungskapazität (Ct), Umkehrspannung (VBR), Reaktionsfähigkeit (R).

Perovskit-Solarzellen: Offene Spannung (VOC), Kurzschlussstrom (ISC), Höchstleistung (Pmax), Maximalspannung (Vmax), Maximalstrom (Imax), Füllfaktor (FF), Wirkungsgrad (η),Serienwiderstand (R), Shuntwiderstand (Rsh), Verbindungsfähigkeit.

LEDs/OLEDs/QLED: Vorwärtsspannung (VF), Schwellenstrom (Ith), Rückspannung (VR), Rückstrom (IR), Verbindungskapazität.



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Halbleiterprüfsysteme
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10Hz-1MHz Halbleitergerät C-V-Prüfsystem

Markenbezeichnung: PRECISE INSTRUMENT
MOQ: 1 Einheit
Verpackungsdetails: Karton.
Zahlungsbedingungen: T/T
Einzelheiten
Herkunftsort:
aus China
Markenname:
PRECISE INSTRUMENT
Testfrequenz:
10 Hz bis 1 MHz
Genauigkeit:
±0,01 %
Kapazitätstestbereich:
0.01pF ¥ 9.9999F
Min Bestellmenge:
1 Einheit
Verpackung Informationen:
Karton.
Lieferzeit:
2-8 Wochen
Zahlungsbedingungen:
T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
500 SET/MONTH
Hervorheben:

1MHz Halbleiter-Leistungsgerät

,

10Hz Halbleiter-Leistungseinrichtung

,

C-V Halbleitercharakterisierungssystem

Beschreibung des Produkts

10Hz-1MHz Halbleitergerät C-V-Prüfsystem

Die Kapazität-Spannungsmessung (C-V) wird häufig zur Charakterisierung von Halbleiterparametern, insbesondere in MOS-Kondensatoren (MOS-CAPs) und MOSFET-Strukturen, verwendet.Die Kapazität einer Metalloxid-Halbleiterstruktur (MOS) ist eine Funktion der angelegten SpannungDie Kurve, die die Kapazitätsschwankung mit der Spannung darstellt, wird als C-V-Kurve (oder C-V-Charakteristiken) bezeichnet.

·Dicke der Oxidschicht (dox)

·Dopingkonzentration im Substrat (Nn)

·Bewegliche Ladedichte im Oxid (Q1)

·Festlastdichte des Oxids (Qfc).

 

Produktmerkmale

Breiter Frequenzbereich: 10 Hz1 MHz mit kontinuierlich einstellbaren Frequenzpunkten.

Hohe Präzision und breiter dynamischer Bereich: Abweichungsbereich von 0 V bis 3500 V mit einer Genauigkeit von 0,1%.

Eingebaute CV-Prüfung: Die integrierte automatisierte CV-Prüfungsoftware unterstützt mehrere Funktionen, darunter C-V (Kapazität-Spannung), C-T (Kapazität-Zeit) und C-F (Kapazität-Frequenz).

IV Prüfung der Kompatibilität: Gleichzeitig werden Abbruchmerkmale und das Verhalten des Leckstroms gemessen.

Echtzeit-Kurvenplotung: Eine intuitive Software-Schnittstelle visualisiert Testdaten und Kurven für die Echtzeitüberwachung.

Hohe Skalierbarkeit: Moduläres Systemdesign ermöglicht eine flexible Konfiguration basierend auf den Testbedürfnissen.


Produktparameter

Artikel 2

Parameter

Testfrequenz

10 Hz bis 1 MHz

Genauigkeit der Frequenzausgabe

± 0,01%

Grundlegende Genauigkeit

± 0,5%

AC-Prüfsignalstufe

10mV~2Vrms (1m Vrms Auflösung)

Gleichstrom-Prüfsignalniveau

10mV bis 2V (1m Vrms Auflösungsgrad)

Ausgangsimpedanz

100Ω

Kapazitätstestbereich

0.01pF ¥ 9.9999F

VGS-Biasbereich

0 - ±30V (optional)

VDS-Biasbereich

300 V bis 1200 V

Prüfparameter

Diode: CJ, IR, VR

MOSFET:Ciss,Coss,Crss,Rg,IDSS,IGSS,BVDSS

IGBT:Cies,Coes,Cres,ICES,IGES,VBRCES

Schnittstelle

RS232, LAN

Programmprotokoll

SCPI, Laborsicht.

 

Anwendungen

Nanomaterialien: Widerstand, Trägermobilität, Trägerkonzentration, Hallspannung

Flexible Materialien: Zug-, Torsions- und Biegetest, Spannungszeit (V-t), Stromzeit (I-t), Widerstandszeit (R-t), Widerstandsfähigkeit, Empfindlichkeit, Verbindungskapazität

Diskrete Geräte:BVDSS,IGSS,IDSS,Vgs ((th),Ciss/Coss/Crss (Eingabe/Ausgabe/Umkehrung).

Fotodetektoren: Dunkler Strom (ID), Verbindungskapazität (Ct), Umkehrspannung (VBR), Reaktionsfähigkeit (R).

Perovskit-Solarzellen: Offene Spannung (VOC), Kurzschlussstrom (ISC), Höchstleistung (Pmax), Maximalspannung (Vmax), Maximalstrom (Imax), Füllfaktor (FF), Wirkungsgrad (η),Serienwiderstand (R), Shuntwiderstand (Rsh), Verbindungsfähigkeit.

LEDs/OLEDs/QLED: Vorwärtsspannung (VF), Schwellenstrom (Ith), Rückspannung (VR), Rückstrom (IR), Verbindungskapazität.